10
1261
Get Updates by EmailKarakteristik Transistor
Pada bab sebelumnya telah dibahas dasar pengoperasian BJT, utamannya untuk kasus saat sambungan kolektor-basis berpanjar mundur dan sambungan emitor-basis berpanjar maju. Arus emitor sebagai fungsi dari tegangan emitor-basis sebagai - iE = Io [exp(- vBE /VT )-1] untuk transistor n-p-n, dimana VT = 25 mV pada temperatur ruang. Io berasal dari pembawa muatan hasil generasi termal, sehingga secara kuat merupakan fungsi temperatur, dan harganya hampir berlipat dua untuk setiap kenaikan 10oC. Harga Io sangat bervariasi dari satu transistor ke transistor yang lain walaupun untuk tipe dan pabrik yang sama.
Download Artikel Lengkap : Karakteristik Transistor
Download Artikel Lengkap : Karakteristik Transistor
Posting Komentar